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T1G6000528-Q3-EVB3

7W, 28V, DC ??6 GHz, GaN RF Power Transistor

General Description The TriQuint T1G6000528-Q3 is a 7 W (P 3dB) discrete GaN on SiC HEMT which operates from DC to 6 GHz and typically provides >10 dB gain at 6 GHz. The device is constructed with TriQuint’s proven 0.25 µm production process, which features advanced field plate techniques to opti

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TRIQUINT

T1G6000528-Q3-EVB3

7W, 28V, DC ??6 GHz, GaN RF Power Transistor

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详细参数

  • 型号:

    T1G6000528-Q3-EVB3

  • 功能描述:

    射频MOSFET电源晶体管 3.0-3.5GHz Eval Board

  • RoHS:

  • 制造商:

    Freescale Semiconductor

  • 配置:

    Single

  • 频率:

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益:

    27 dB

  • 输出功率:

    100 W

  • 封装/箱体:

    NI-780-4

  • 封装:

    Tray

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更多T1G6000528-Q3-EVB3供应商 更新时间2026-9-21 15:42:00