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BF998RA	文件：155.83 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode Features •Integratedgateprotectiondiodes •Lownoisefigure •Lowfeedbackcapacitance •Highcrossmodulationperformance •Lowinputcapacitance •HighAGC-range •Highgain •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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BF998W	文件：249.05 Kbytes Page：6 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode SiliconN_ChannelMOSFETTetrode •Short-channeltransistorwithhighS/Cqualityfactor •Forlow-noise,gain-controlledinputstageupto1GHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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详细参数

型号：
T-998G
制造商：
RHOMBUS-IND
制造商全称：
Rhombus Industries Inc.
功能描述：
DDS Applications Pulse Transformers

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