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TIP112	文件：153.15 Kbytes Page：3 Pages	PLASTICMEDIUM-POWERCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS	bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半导体公司	boca
TIP112	文件：269.51 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTON2AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
TIP112	文件：146.97 Kbytes Page：3 Pages	POWERTRANSISTORS(2.0A,60-100V,50W)	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
TIP112	文件：101.68 Kbytes Page：6 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONS NPNSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewith TIP115,TIP116andTIP117 ●50Wat25°CCaseTemperature ●4AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof500at4V,2A	POINN Power Innovations Ltd	POINN
TIP112	文件：72.23 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS DESCRIPTION TheTIP110andTIP112aresiliconEpitaxial-BaseNPNtransistorsinmonolithicDarlingtonconfigurationmountedinJedecTO-220plasticpackage.Theyareintentedforuseinmediumpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementaryPNPtypesareTIP115andTIP117. ■STMicroe	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TIP112	文件：72.48 Kbytes Page：2 Pages	PLASTICPOWERTRANSISTORS PLASTICPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinMediumPowerLinearandSwitchingApplications TO-220PlasticPackage	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
TIP112	文件：195.99 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNDARLINGTONTRANSISTOR Description Designedforuseingeneralpurposeamplifierandlow-speedswitchingapplications.	DCCOM Dc Components	DCCOM
TIP112	文件：99.95 Kbytes Page：8 Pages	PlasticMedium-PowerComplementarySiliconTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
TIP112	文件：103.01 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALSILICONDARLINGTONTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCTIP112isdesignedforsuchapplicationsas:DC/DCconverterssupplylineswitching,batterycharger,LCDbacklighting,peripheraldrivers,Driverinlowsupplyvoltageapplications(e.g.lampsandLEDs)andinductiveloaddriver(e.g.relays,buzzersandmotors). FEATURES *	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
TIP112	文件：269.51 Kbytes Page：6 Pages	PlasticMedium-PowerComplementarySiliconTransistors PlasticMedium-PowerComplementarySiliconTransistors Designedforgeneral−purposeamplifierandlow−speedswitchingapplications. Features •HighDCCurrentGain− hFE=2500(Typ)@IC =1.0Adc •Collector−EmitterSustainingVoltage−@30mAdc VCEO(sus)=60Vdc(Min)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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