丝印：SWD；Package：DFN2020B；MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications • Power Management Switches • DC-DC Converters Features (1) 1.8-V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 56 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 72 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON) = 109 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V)

文件：320.79 Kbytes 页数：9 Pages

TOSHIBA

东芝

丝印：SWG；Package：DFN2020B；MOSFETs Silicon N-channel MOS

Applications • Power Management Switches • DC-DC Converters Features (1) 4.5-V drive (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 18 mΩ (typ.) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 11.8 mΩ (typ.) (@VGS = 10 V)

文件：439.3 Kbytes 页数：8 Pages

TOSHIBA

东芝

丝印：SWs；Package：PG-SOT-323；SIPMOS Small-Signal-Transistor

文件：357.46 Kbytes 页数：9 Pages

Infineon

英飞凌

丝印：SWs；Package：SOT23；OptiMOS 2 Small-Signal-Transistor

文件：138.32 Kbytes 页数：3 Pages

TYSEMI

台湾TY半导体

隔离电源模块

ABB

ABB集团

DC-DC电源模块

ABB

ABB集团

隔离电源模块

ABB

ABB集团

包装：盒 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频开关 描述：SWITCH

L3 Narda-MITEQ

包装：盒 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频开关 描述：SWITCH

L3 Narda-MITEQ

包装：盒 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频开关 描述：SWITCH

L3 Narda-MITEQ