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SVT13N06D数据手册Silan中文资料规格书

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厂商型号

SVT13N06D

功能描述

低压MOS功率管

制造商

Silan Silan Microelectronics Joint-stock

中文名称

士兰微 杭州士兰微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 20:00:00

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SVT13N06D规格书详情

描述 Description

SVT13N06SA(D)  N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有极低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

特性 Features

• 13A,60V,RDS(on)(典型值)=9mW@VGS=10V
• 低栅极电荷量
• 低反馈电容
• 开关速度快 
• 提升了dv/dt 能力

技术参数

  • 制造商编号

    :SVT13N06D

  • 生产厂家

    :Silan

  • Status

    :Sample

  • Type

    :N

  • Process

    :普通沟槽

  • Configuration

    :Single

  • Popular Application

    :Low Voltage

  • ESD Diode

    :No

  • Schottky Diode

    :No

  • Schottky Type

    :No

  • Package

    :TO-252-2L

  • VGS

    :20

  • ID @25℃

    :13

  • PD @25℃

    :66

  • RDS[ON]@VGS=10v

    :11

  • VGS[th]

    :1.4-2.5

  • Ciss

    :3070.6

  • Crss

    :176.5

  • Qg

    :69.0

  • Qgd

    :18.0

  • Td[on]

    :18.4

  • Td[off]

    :276.8

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