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SVT10111ND数据手册Silan中文资料规格书

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厂商型号

SVT10111ND

功能描述

TRENCH系列低压MOSFET

制造商

Silan Silan Microelectronics Joint-stock

中文名称

士兰微 杭州士兰微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 20:00:00

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SVT10111ND规格书详情

描述 Description

SVT10111ND  N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

特性 Features

• 14A,100V,RDS(on)(典型值)=85mW@VGS=10V
• 低栅极电荷量
• 低反向传输电容
• 开关速度快
• 提升了dv/dt 能力

技术参数

  • 制造商编号

    :SVT10111ND

  • 生产厂家

    :Silan

  • Polarity

    :N

  • Vdss (V)

    :100

  • Id (A)Tc=25℃

    :14

  • Vgs (th) (V)

    :1.0~3.0

  • Rds(on) @10V typ (mΩ)

    :85

  • Rds (on) @10Vmax (mΩ)

    :105

  • Qg@10Vtyp (nC)

    :27

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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