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SVT10111ND中文资料TRENCH系列低压MOSFET数据手册Silan规格书
SVT10111ND规格书详情
描述 Description
SVT10111ND N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
特性 Features
• 14A，100V，RDS(on)（典型值）=85mW@VGS=10V
• 低栅极电荷量
• 低反向传输电容
• 开关速度快
• 提升了dv/dt 能力
技术参数
- 制造商编号
：SVT10111ND
- 生产厂家
：Silan
- Polarity
：N
- Vdss (V)
：100
- Id (A)Tc=25℃
：14
- Vgs (th) (V)
：1.0~3.0
- Rds(on) @10V typ (mΩ)
：85
- Rds (on) @10Vmax (mΩ)
：105
- Qg@10Vtyp (nC)
：27
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SILAN |
2450+ |
TO-252-2L |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
PANJIT |
20+ |
TO-277 |
36800 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
PJ |
24+ |
TO-277 |
170000 |
原装正品百分百原装 |
询价 | ||
PANJIT |
TO-277 |
34000 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
SILAN(士兰微电子) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
士兰微 |
24+ |
10000 |
原装现货 |
询价 | |||
SILAN/士兰微 |
21+ |
TO-263 |
15000 |
询价 | |||
PANJIT/强茂 |
23+ |
TO-277B |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
PANJIT/强茂 |
2019+PB |
TO-277 |
34000 |
全新-特价大量供货房间 |
询价 | ||
PANJIJ |
24+ |
TO-277 |
60000 |
全新原装现货 |
询价 |
