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SVT085R5NT中文资料低压MOS功率管数据手册Silan规格书
SVT085R5NT规格书详情
描述 Description
SVT085R5NT/S/L5/KL N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
特性 Features
• 120A，85V，RDS(on)（典型值）=4.5mW@VGS=10V
• 低栅极电荷量
• 低反向传输电容
• 开关速度快
• 提升了dv/dt 能力
技术参数
- 制造商编号
：SVT085R5NT
- 生产厂家
：Silan
- Polarity
：N
- Vdss (V)
：85
- Id (A)Tc=25℃
：120
- Vgs (th) (V)
：2.0~4.0
- Rds(on) @10V typ (mΩ)
：4.5
- Rds (on) @10Vmax (mΩ)
：5.5
- Qg@10Vtyp (nC)
：68
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PANJIT/强茂 |
2450+ |
NA |
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PANJIT |
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PANJIT |
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TO-277 |
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PANJIT |
TO-277 |
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SILAN(士兰微电子) |
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封装 |
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询价 | ||
SILAN(士兰微) |
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TO220 |
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士兰微 |
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PANJIT/强茂 |
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PANJIT/强茂 |
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TO-277 |
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询价 | ||
SILAN(士兰微) |
2025+ |
TO-220 |
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询价 |
