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SVT120N08S中文资料低压MOS功率管数据手册Silan规格书
SVT120N08S规格书详情
描述 Description
SVT120N08T/S N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统电源管理。
特性 Features
• 120A,80V,RDS(on)(典型值)=7mW@VGS=10V
• 低栅极电荷量
• 低反向传输电容
• 开关速度快
• 提升了dv/dt 能力
技术参数
- 制造商编号
:SVT120N08S
- 生产厂家
:Silan
- Status
:Sample
- Type
:N
- Process
:普通沟槽
- Configuration
:Single
- Popular Application
:Low Voltage
- ESD Diode
:No
- Schottky Diode
:No
- Schottky Type
:No
- Package
:TO-263-2L
- VGS
:25
- ID @25℃
:120
- PD @25℃
:230
- RDS[ON]@VGS=10v
:8.5
- VGS[th]
:2.0-4.0
- Ciss
:2943.0
- Crss
:245.0
- Qg
:63.1
- Qgd
:25.6
- Td[on]
:39.3
- Td[off]
:76.9
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
PANJIT |
24+ |
NA/ |
1555 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
PANJIT/强茂 |
21+ |
TO-277 |
880000 |
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询价 | ||
PANJIT |
20+ |
TO-277 |
36800 |
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询价 | ||
PANJIT/强茂 |
22+ |
TO277 |
10730 |
原装正品 |
询价 | ||
PANJIT |
TO-277 |
34000 |
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询价 | |||
PanJit(强茂) |
25+ |
TO-277 |
500000 |
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询价 | ||
PANJIT |
38 |
询价 | |||||
PANJIT |
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con |
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询价 | ||
PANJIT |
23+ |
TO277 |
8160 |
原厂原装 |
询价 | ||
SILAN/士兰微 |
21+ |
TO-263 |
15000 |
询价 |