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SVT035R5NMJ规格书详情
描述 Description
SVT035R5ND(MJ)(T) N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
特性 Features
• 100A,30V,RDS(on)(典型值)=4.0mW@VGS=10V
• 低栅极电荷量
• 低反向传输电容
• 开关速度快
• 提升了dv/dt 能力
技术参数
- 制造商编号
:SVT035R5NMJ
- 生产厂家
:Silan
- Status
:Sample
- Type
:N
- Process
:普通沟槽
- Configuration
:Single
- Popular Application
:Low Voltage
- ESD Diode
:No
- Schottky Diode
:No
- Schottky Type
:No
- Package
:TO-251J-3L
- VGS
:20
- ID @25℃
:100
- PD @25℃
:83
- RDS[ON]@VGS=10v
:5.5
- VGS[th]
:1.0-3.0
- Ciss
:2189
- Crss
:206
- Qg
:47
- Qgd
:10
- Td[on]
:12
- Td[off]
:57
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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