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SVT035R5NMJ数据手册Silan中文资料规格书

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厂商型号

SVT035R5NMJ

功能描述

低压MOS功率管

制造商

Silan Silan Microelectronics Joint-stock

中文名称

士兰微 杭州士兰微电子股份有限公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 19:19:00

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SVT035R5NMJ规格书详情

描述 Description

SVT035R5ND(MJ)(T)  N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

特性 Features

• 100A,30V,RDS(on)(典型值)=4.0mW@VGS=10V
• 低栅极电荷量
• 低反向传输电容
• 开关速度快 
• 提升了dv/dt 能力

技术参数

  • 制造商编号

    :SVT035R5NMJ

  • 生产厂家

    :Silan

  • Status

    :Sample

  • Type

    :N

  • Process

    :普通沟槽

  • Configuration

    :Single

  • Popular Application

    :Low Voltage

  • ESD Diode

    :No

  • Schottky Diode

    :No

  • Schottky Type

    :No

  • Package

    :TO-251J-3L

  • VGS

    :20

  • ID @25℃

    :100

  • PD @25℃

    :83

  • RDS[ON]@VGS=10v

    :5.5

  • VGS[th]

    :1.0-3.0

  • Ciss

    :2189

  • Crss

    :206

  • Qg

    :47

  • Qgd

    :10

  • Td[on]

    :12

  • Td[off]

    :57

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