超结MOS功率管

SVS14N60F(FJ)(T)D2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。\n\n 此外，SVS14N60F(FJ)(T)D2应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。 • 11A,650V, RDS(on)(typ.)=0.33W@VGS=10V \n• 创新高压技术\n• 低栅极电荷\n• 较强的雪崩能力\n• 较强的dv/dt能力\n• 较高的峰值电流能力;

Silan

士兰微

Drain Current ID= 14A@ TC=25C

文件：136.1 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

14A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

FEATURES * RDS(ON) ≤ 0.55 Ω @ VGS=10V, ID=7.0A * Fast switching capability * Avalanche energy tested * Improved dv/dt capability, high ruggedness

文件：281.55 Kbytes 页数：7 Pages

UTC

友顺

14A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

 FEATURES * RDS(ON) ≤ 0.6Ω @ VGS=10V, ID=7.0A * Fast switching capability * Avalanche energy specified * Improved dv/dt capability, high ruggedness

文件：436.78 Kbytes 页数：9 Pages

UTC

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