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SVG105R4NT中文资料低压MOS功率管数据手册Silan规格书
SVG105R4NT规格书详情
描述 Description
SVG105R4NT(S) N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
特性 Features
• 120A，100V，RDS(on)(典型值)=5.0mΩ@VGS=10V
• 低栅极电荷
• 低反向传输电容
• 开关速度快
• 提升了dv/dt 能力
• 100%雪崩测试
• 无铅管脚镀层
• 符合RoHS环保标准
技术参数
- 制造商编号
：SVG105R4NT
- 生产厂家
：Silan
- Polarity
：N
- Vdss (V)
：100
- Id (A)Tc=25℃
：120
- Vgs (th) (V)
：2.0~4.0
- Rds(on) @10V typ (mΩ)
：5
- Rds (on) @10Vmax (mΩ)
：5.4
- Qg@10Vtyp (nC)
：64
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SILAN/士兰微 |
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