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SVFP18N60FJD规格书详情
描述 Description
SVFP18N60FJD N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。
特性 Features
• 18A，600V，RDS(on)(典型值)=0.36Ω@VGS=10V
• 低栅极电荷量
• 低反向传输电容
• 开关速度快
• 提升了dv/dt 能力
技术参数
- 制造商编号
：SVFP18N60FJD
- 生产厂家
：Silan
- Polarity
：N
- Vdss (V)
：600
- Id (A)Tc=25℃
：18
- Vgs (th) (V)
：2.0~4.0
- Rds(on) @10V typ (mΩ)
：0.36
- Rds (on) @10Vmax (mΩ)
：0.45
- Qg@10Vtyp (nC)
：46
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SILAN士兰微 |
24+ |
TO-220 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
SILAN/士兰微 |
24+ |
PDFN5*6 |
35000 |
专营SILAN士兰微原装保障 |
询价 | ||
SILAN士兰微 |
23+ |
TO-220 |
20000 |
询价 | |||
SILAN士兰微 |
2024+ |
TO-220 |
500000 |
诚信服务,绝对原装原盘 |
询价 | ||
M-SYSTEM |
DIP-8 |
35560 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
杭州士兰 |
两年内 |
NA |
24317 |
实单价格可谈 |
询价 | ||
SILAN/士兰微 |
25+ |
TO-220 |
30000 |
原厂原装,价格优势 |
询价 | ||
SILAN士兰微 |
24+ |
TO-220 |
5000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 | ||
Silan |
25+ |
TO-263 |
12348 |
询价 | |||
Silan |
24+ |
TO-263 |
18000 |
假一赔百原装正品价格优势实单可谈 |
询价 |
