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SVG105R4NS规格书详情
描述 Description
SVG105R4NT(S) N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
特性 Features
• 120A,100V,RDS(on)(典型值)=5.0mΩ@VGS=10V
• 低栅极电荷
• 低反向传输电容
• 开关速度快
• 提升了dv/dt 能力
• 100%雪崩测试
• 无铅管脚镀层
• 符合RoHS环保标准
技术参数
- 制造商编号
:SVG105R4NS
- 生产厂家
:Silan
- Polarity
:N
- Vdss (V)
:100
- Id (A)Tc=25℃
:120
- Vgs (th) (V)
:2.0~4.0
- Rds(on) @10V typ (mΩ)
:5
- Rds (on) @10Vmax (mΩ)
:5.4
- Qg@10Vtyp (nC)
:64
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
SEMITEL |
24+ |
NA/ |
13734 |
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SEMITEL |
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SOP8 |
3000 |
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SEMITEL |
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SOP8 |
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SEMITEL |
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500000 |
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两年内 |
NA |
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SOP |
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SEMITEL |
SOP8 |
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