SVF7N60CD中文资料平面高压MOS功率管数据手册Silan规格书
SVF7N60CD规格书详情
描述 Description
SVF7N60CF/S/K/MJ/D/T N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及原胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。
特性 Features
• 7A,600V,RDS(on)(典型值)=0.96Ω@VGS=10V
• 低栅极电荷量
• 低反向传输电容
• 开关速度快
• 提升了dv/dt 能力
技术参数
- 制造商编号
:SVF7N60CD
- 生产厂家
:Silan
- Polarity
:N
- Vdss (V)
:600
- Id (A)Tc=25℃
:7
- Vgs (th) (V)
:2.0~4.0
- Rds(on) @10V typ (mΩ)
:0.96
- Rds (on) @10Vmax (mΩ)
:1.2
- Qg@10Vtyp (nC)
:21.1
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
SILAN/士兰微 |
24+ |
NA/ |
60 |
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SILAN |
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TO-220F |
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SILAN/士兰微 |
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SILAN/士兰微 |
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TO-220F |
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SILAN/士兰微 |
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SILAN |
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SILAN/士兰微 |
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TO-220F |
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SILAN |
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SMD |
30000 |
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