SVF730T中文资料平面高压MOS功率管数据手册Silan规格书
SVF730T规格书详情
描述 Description
SVF730F/T/M/MJ N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。
特性 Features
• 6A，400V，RDS(on)(典型值)=0.66Ω@VGS=10V
• 低栅极电荷量
• 低反向传输电容
• 开关速度快
• 提升了dv/dt 能力
技术参数
- 制造商编号
：SVF730T
- 生产厂家
：Silan
- Type
：N
- VGS [±V]
：30
- VGS(th)[V]
：2~4
- Package
：TO-220-3L
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
士兰微 |
24+ |
TO-220 |
6000 |
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询价 | ||
士兰微 |
24+ |
TO-220-3L |
60000 |
询价 | |||
SILAN/士兰微 |
25+ |
TO-220-3L |
188600 |
全新原厂原装正品现货 欢迎咨询 |
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SILAN(士兰微) |
23+ |
TO-220 |
84 |
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SILAN(士兰微电子) |
2511 |
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士兰微 |
23+ |
TO220 |
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24+ |
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士兰微 |
25+ |
TO-220 |
880000 |
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SILAN(士兰微) |
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TO-220 |
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SILAN/士兰微 |
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