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SVF18N65EFJH中文资料平面高压MOS数据手册Silan规格书

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厂商型号

SVF18N65EFJH

功能描述

平面高压MOS

制造商

Silan Silan Microelectronics Joint-stock

中文名称

士兰微 杭州士兰微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-27 22:59:00

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SVF18N65EFJH规格书详情

描述 Description

SVF18N65EFJH 是 N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管,采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。

特性 Features

• 18A,650V,RDS(on)(典型值)=0.48W@VGS=10V
• 低栅极电荷量
• 低反向传输电容
• 开关速度快
• 提升了dv/dt能力
• 100%雪崩测试
• 无铅管脚镀层
• 符合RoHS环保标准

技术参数

  • 制造商编号

    :SVF18N65EFJH

  • 生产厂家

    :Silan

  • Polarity

    :N

  • Vdss (V)

    :650

  • Id (A)Tc=25℃

    :18

  • Vgs (th) (V)

    :2.0~4.0

  • Rds(on) @10V typ (mΩ)

    :0.48

  • Rds (on) @10Vmax (mΩ)

    :0.55

  • Qg@10Vtyp (nC)

    :45

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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