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SVF13N50CT中文资料平面高压MOS数据手册Silan规格书
SVF13N50CT规格书详情
描述 Description
SVF13N50CF/T N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及原胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。
特性 Features
• 13A,500V,RDS(on)(典型值)=0.44W@VGS=10V
• 低栅极电荷量
• 低反向传输电容
• 开关速度快
• 提升了dv/dt能力
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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士兰微 |
23+ |
TO-220F |
4500 |
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SILAN/士兰微 |
24+ |
TO-220F |
93000 |
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询价 | ||
SILAN |
24+ |
con |
47 |
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询价 | ||
SILAN士兰 |
2023+ |
TO-220F |
9623 |
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SL |
23+ |
SL |
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Silan |
24+ |
TO-220F-3L |
11000 |
假一赔百原装正品价格优势实单可谈 |
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士兰微 |
24+ |
10000 |
原装现货 |
询价 | |||
SILAN/士兰微 |
22+ |
TO-220F |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
士兰微 |
2406+ |
TO-220F |
1850 |
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SILAN/士兰微 |
25+ |
NA |
880000 |
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