SVF18N60T数据手册Silan中文资料规格书
SVF18N60T规格书详情
描述 Description
SVF18N60F/T N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。
特性 Features
• 18A,600V,RDS(on)(典型值)=0.36Ω@VGS=10V
• 低栅极电荷量
• 低反向传输电容
• 开关速度快
• 提升了dv/dt 能力
技术参数
- 制造商编号
:SVF18N60T
- 生产厂家
:Silan
- Status
:MP
- Type
:N
- Process
:F-cell
- Configuration
:Single
- Popular Application
:High Voltage
- ESD Diode
:No
- Schottky Diode
:No
- Schottky Type
:NO
- Package
:TO-220-3L
- VGS
:30
- ID @25℃
:2~4
- PD @25℃
:18
- RDS[ON]@VGS=10v
:225
- VGS[th]
:0.45
- Ciss
:2347.40
- Crss
:5.50
- Qg
:40.05
- Qgd
:12.21
- Td[on]
:26.04
- Td[off]
:61.12
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Silan |
21+ |
TO-220F |
15176 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
SILAN/士兰微 |
23+ |
TO-3P |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
SILAN/士兰微 |
2223+ |
TO-220 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
SILAN/士兰微 |
24+ |
TO-220 |
55000 |
专营SILAN士兰微原装保障 |
询价 | ||
SILAN(士兰微) |
2447 |
TO220 |
105000 |
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询价 | ||
SILAN |
5 |
询价 | |||||
SILAN/士兰微 |
2022+ |
TO-3P |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
询价 | ||
SILAN/士兰微 |
2023+ |
TO-220F |
25000 |
原厂全新正品旗舰店优势现货 |
询价 | ||
SILAN/士兰微 |
2021+ |
TO-220F |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
SL |
25+23+ |
TO-220 |
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询价 |