F-CellTM系列高压MOSFET

SVF14N60T  N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及原胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。\n\n 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。\n\n • 14A，600V，RDS(on)（典型值）=0.54Ω@VGS=10V\n• 低反向传输电容\n• 提升了dv/dt 能力\n;

Silan

士兰微

Drain Current ID= 14A@ TC=25C

文件：136.1 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

14A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

FEATURES * RDS(ON) ≤ 0.55 Ω @ VGS=10V, ID=7.0A * Fast switching capability * Avalanche energy tested * Improved dv/dt capability, high ruggedness

文件：281.55 Kbytes 页数：7 Pages

UTC

友顺

14A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

 FEATURES * RDS(ON) ≤ 0.6Ω @ VGS=10V, ID=7.0A * Fast switching capability * Avalanche energy specified * Improved dv/dt capability, high ruggedness

文件：436.78 Kbytes 页数：9 Pages

UTC

友顺