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SVF12N65CF中文资料F-CellTM系列C版高压MOSFET数据手册Silan规格书
SVF12N65CF规格书详情
描述 Description
SVF12N65CF/K/S N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。
特性 Features
• 12A,650V,RDS(on)(典型值)=0.64Ω@VGS=10V
• 低栅极电荷量
• 低反向传输电容
• 开关速度快
• 提升了dv/dt 能力
技术参数
- 制造商编号
:SVF12N65CF
- 生产厂家
:Silan
- Polarity
:N
- Vdss (V)
:650
- Id (A)Tc=25℃
:12
- Vgs (th) (V)
:2.0~4.0
- Rds(on) @10V typ (mΩ)
:0.64
- Rds (on) @10Vmax (mΩ)
:0.8
- Qg@10Vtyp (nC)
:30
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
SILAN |
24+ |
TO-220F |
20000 |
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SILAN士兰微 |
2024+ |
TO-220F |
500000 |
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SILAN/士兰微 |
24+ |
TO220F |
12000 |
原装正品 假一罚十 可拆样 |
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SILAN士兰 |
20+ |
TO-220F |
880000 |
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SILAN |
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TO-22OF |
34700 |
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询价 | ||
SILAN士兰 |
24+ |
TO-220F |
15000 |
全新原装正品现货 假一赔十 |
询价 | ||
SILAN/士兰微 |
24+ |
TO220F |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
SILAN士兰 |
2023+ |
TO-220F |
15000 |
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士兰微 |
23+ |
TO-220F |
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原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
SILAN/士兰微 |
22+ |
TO-220F |
16800 |
原装正品 |
询价 |