N-Channel 100-V (D-S) 175C MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Power MOSFETS • 175 °C Junction Temperature • Low Thermal Resistance Package • PWM Optimized for Fast Switching • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Isolated DC/DC converters     - Primary-Side Switch

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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 60A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =16.5mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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N-Channel 100 V (D-S) 175 째C MOSFET

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