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SUM110N05-06L	文件：306.95 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=110A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=6.0mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SUM110N05-06L	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel 55-V (D-S) 175C MOSFET;	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SUM110N05-06L	文件：59.83 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel 55-V (D-S), 175C MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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SQM110N05-06L	文件：162.27 Kbytes Page：9 Pages	AutomotiveN-Channel55V(D-S)175째CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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详细参数

型号：
SUM110N05-06L
功能描述：
MOSFET 55V 110A 158W
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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