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SUM110N05-06L	文件：306.95 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=110A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 6.0mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：306.95 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SUM110N05-06L	文件：59.83 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel 55-V (D-S), 175C MOSFET 文件：59.83 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SUM110N05-06L	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel 55-V (D-S) 175C MOSFET	Vishay 威世科技	Vishay
SQM110N05-06L	文件：223 Kbytes Page：10 Pages	Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：223 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SQM110N05-06L	文件：220.02 Kbytes Page：10 Pages	Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：220.02 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SQM110N05-06L	文件：215.85 Kbytes Page：9 Pages	Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：215.85 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

详细参数

型号：
SUM110N05-06L
功能描述：
MOSFET 55V 110A 158W
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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