isc P-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= -9.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= -100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =43mΩ(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件：299.91 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

P-Channel 100 V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912

文件：189.18 Kbytes 页数：10 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

丝印：U30P10；Package：TO-252-3L；P-Channel Enhancement Mode MOSFET

FEATURES ® Vds=-100V ID=30A @ ROSON=40mO@Ves=-10V

文件：1.60177 Mbytes 页数：4 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

P-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFET

文件：90.32 Kbytes 页数：7 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

P-Channel 100-V (D-S) 175 °C MOSFET

文件：112.93 Kbytes 页数：7 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

P-Channel 100-V (D-S) 175 째C MOSFET

文件：170.03 Kbytes 页数：10 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

丝印：DPAK；Package：TO-252；Isc P-Channel MOSFET Transistor

文件：322.18 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

P-Channel 100-V (D-S) 175 째C MOSFET

文件：170.03 Kbytes 页数：10 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

P-Channel 100 V (D-S) MOSFET

文件：997.82 Kbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

P-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFET

文件：90.32 Kbytes 页数：7 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司