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SUD50P10-43	文件：299.91 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= -9.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= -100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =43mΩ(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：299.91 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SUD50P10-43	文件：90.32 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFET 文件：90.32 Kbytes 页数：7 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SUD50P10-43	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-Channel 100-V (D-S) 175C MOSFET	Vishay 威世	Vishay
SUD50P10-43L-GE3	文件：189.18 Kbytes Page：10 Pages	P-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：189.18 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SUD50P10-43L-TP	文件：1.60177 Mbytes Page：4 Pages	丝印：U30P10；Package：TO-252-3L；P-Channel Enhancement Mode MOSFET FEATURES ® Vds=-100V ID=30A @ ROSON=40mO@Ves=-10V 文件：1.60177 Mbytes 页数：4 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
SUD50P10-43L	文件：322.18 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；Isc P-Channel MOSFET Transistor 文件：322.18 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SUD50P10-43L	文件：112.93 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 100-V (D-S) 175 °C MOSFET 文件：112.93 Kbytes 页数：7 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SUD50P10-43L	文件：170.03 Kbytes Page：10 Pages	P-Channel 100-V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：170.03 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SUD50P10-43L_V01	文件：170.03 Kbytes Page：10 Pages	P-Channel 100-V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：170.03 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SUD50P10-43L-E3	文件：997.82 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件：997.82 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

详细参数

型号：
SUD50P10-43
功能描述：
MOSFET 100V 38A 136W 43mohm @ 10V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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