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SUD50N02-06

N-Channel Enhancement-Mode MOSFET

Vishay

威世

SUD50N02-06P

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:965.83 Kbytes 页数:5 Pages

DOINGTER

杜因特

SUD50N02-06P

N-Channel 20-V (D-S) 175짰MOSFET

文件:178.96 Kbytes 页数:3 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SUD50N02-06P

N-Channel 20-V (D-S) 175Celsius MOSFET

文件:200.91 Kbytes 页数:4 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SUD50N02-06P

丝印:DPAK;Package:TO-252;isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:308.3 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

SUD50N02-06P_06

N-Channel 20-V (D-S) 175Celsius MOSFET

文件:200.91 Kbytes 页数:4 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SUD50N02-06P-E3

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:914.13 Kbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SUD50N02-06P

N-Channel 20 V (D-S) 175 °C MOSFET

Vishay

威世

SUD50N02-06P-GE3

包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 描述:MOSFET N-CH 20V 50A TO252AA

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

详细参数

  • 型号:

    SUD50N02-06

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 30A 100W

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
VISHAY/威世
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更多SUD50N02-06供应商 更新时间2025-11-4 16:12:00