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N-Channel 100-V (D-S) 175 MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CMaximumJunctionTemperature | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
N-Channel 100-V (D-S) 175 °C MOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
N-Channel MOSFET uses advanced trench technology | DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司 | DOINGTER | ||
N-Channel 100-V (D-S) 175 째C MOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
N-Channel 100-V (D-S) 175 째C MOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)8.0mΩ ID72A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree | EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司 | EXCELLIANCE | ||
N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)8.5mΩ ID96A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree | EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司 | EXCELLIANCE | ||
N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)8.5mΩ ID14A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree | EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司 | EXCELLIANCE | ||
N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor | EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司 | EXCELLIANCE | ||
N-ChannelSuperTrenchIIPowerMOSFET | HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司 | HMSEMI | ||
N-ChannelSuperTrenchIIPowerMOSFET | HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司 | HMSEMI | ||
EnhancedAvalancheRuggedness | SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd. | SEMIHOW | ||
EnhancedAvalancheRuggedness | SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd. | SEMIHOW | ||
100VN-ChannelPowerMOSFET | TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半 台湾半导体股份有限公司 | TSC | ||
N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology | DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司 | DOINGTER |
详细参数
- 型号：
SUB85N10
- 功能描述：
MOSFET 100V 85A 250W
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
2020+ |
TO263 |
18600 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
2024+实力库存 |
TO-263 |
600 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
17+ |
TO-263 |
31518 |
原装正品 可含税交易 |
询价 | ||
06+ |
TO-263 |
5000 |
原装库存 |
询价 | |||
VISHAY |
08+(pbfree) |
TO-263 |
8866 |
询价 | |||
VISHAY |
23+ |
TO-263 |
19567 |
询价 | |||
SI |
18+ |
TO263 |
999999 |
进口全新原装现货 |
询价 | ||
Vishay |
1822+ |
TO263 |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
VISHAY |
2019 |
TO-263-2 |
55000 |
原装正品现货假一赔十 |
询价 | ||
VISHAY |
23+ |
TO-263 |
33500 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
询价 |
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