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N-Channel 100-V (D-S) 175 MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Maximum Junction Temperature 文件：65.09 Kbytes 页数：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | Vishay | ||
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N-Channel 100-V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：77.28 Kbytes 页数：6 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | Vishay | ||
N-Channel 100-V (D-S) 175C MOSFET | Vishay 威世 | Vishay |
详细参数
- 型号：
SUB85N10
- 功能描述：
MOSFET 100V 85A 250W
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
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