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SUB85N10-10规格书详情
FEATURES
• TrenchFET® Power MOSFET
• 175 °C Maximum Junction Temperature
产品属性
- 型号：
SUB85N10-10
- 功能描述：
MOSFET 100V 85A 250W
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay |
1822+ |
TO263 |
9852 |
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询价 | ||
VBsemi/台湾微碧 |
23+ |
TO-263 |
30000 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
TO-263 |
12500 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
VISHAY |
2019 |
TO-263-2 |
55000 |
原装正品现货假一赔十 |
询价 | ||
VBsemi/台湾微碧 |
21+ |
TO-263 |
1015 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
TO-263 |
501553 |
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询价 | ||
Vishay |
2020+ |
TO-263 |
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VISHAY/威世 |
22+ |
TO-263 |
12000 |
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询价 | ||
VISHAY |
2020+ |
TO-263 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
SOT-263 |
20000 |
保证原装正品,假一陪十 |
询价 |
