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SUB85N10-10 | N-Channel 100-V (D-S) 175 MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Maximum Junction Temperature 文件：65.09 Kbytes 页数：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | Vishay | |
SUB85N10-10 | N-Channel 100-V (D-S) 175 °C MOSFET 文件：104.42 Kbytes 页数：6 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | Vishay | |
SUB85N10-10 | N-Channel 100-V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：77.28 Kbytes 页数：6 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | Vishay | |
SUB85N10-10 | 丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：298.02 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
SUB85N10-10 | N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.5116 Mbytes 页数：5 Pages | DOINGTER 杜因特 | DOINGTER | |
SUB85N10-10 | N-Channel 100-V (D-S) 175C MOSFET | Vishay 威世 | Vishay | |
N-Channel 100-V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：77.28 Kbytes 页数：6 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | Vishay |
详细参数
- 型号：
SUB85N10-10
- 功能描述：
MOSFET 100V 85A 250W
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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