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SUB75N05-07

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 7.0mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:306.45 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

SUB75N05-07

N-Channel 55-V (D-S), 175C MOSFET

文件:78.47 Kbytes 页数:5 Pages

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威世

SUB75N05-07

N-Channel 55-V (D-S) 175C MOSFET

Vishay

威世

SUP75N05-07

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 7.0mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:333.36 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

SUP75N05-07

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:998.18 Kbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SUP75N05-07

N-Channel 55-V (D-S), 175C MOSFET

文件:78.47 Kbytes 页数:5 Pages

VishayVishay Siliconix

威世

详细参数

  • 型号:

    SUB75N05-07

  • 功能描述:

    MOSFET 55V 75A 158W

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SUB75N05-07供应商 更新时间2025-10-11 16:36:00