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STY50N105DK5

丝印:50N105DK5;Package:Max247;N-channel 1050 V, 0.110 Ω typ., 46 A MDmesh™ DK5 Power MOSFET in a Max247 package

Features  Fast-recovery body diode  Best RDS(on) x area  Low gate charge, input capacitance and resistance  100 avalanche tested  Extremely high dv/dt ruggedness Applications  Switching applications Description This very high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmes

文件:716.28 Kbytes 页数:12 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STY50N105DK5

N沟道1050 V、0.110 Ohm典型值、46 A MDmesh DK5功率MOSFET,Max247封装

这种超高电压N-沟道功率MOSFET是MDmesh™DK5快速恢复二极管系列的一部分。The MDmesh™ DK5 结合非常低的恢复电荷 (Qrr) 和恢复时间 (trr) ,在 RDS(on) * 面积上进行了出色的改进,开关行为表现高效,非常适合半桥和全桥转换器。 • 快速恢复体二极管 \n• 出色的 RDS(on) x 面积 \n• 低栅极电荷、输入电容和电阻 \n• 经过100%雪崩测试 \n• 非常高的dv / dt耐用性;

ST

意法半导体

STZ5.6NT146

SMD3

技术参数

  • Package:

    Max247

  • Grade:

    Industrial

  • VDSS(V):

    1050

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω):

    0.12

  • Drain Current (Dc)_max(A):

    46

  • PTOT_max(W):

    625

  • Qg_typ(nC):

    204

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更多STY50N105DK5供应商 更新时间2025-11-27 8:31:00