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STW8N120K5中文资料N沟道1200 V、1.65 Ohm典型值、6 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-247封装数据手册ST规格书

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厂商型号

STW8N120K5

功能描述

N沟道1200 V、1.65 Ohm典型值、6 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-247封装

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-27 15:41:00

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STW8N120K5规格书详情

描述 Description

这款超高压N-沟道功率MOSFET 采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此,在要求高功率密度和高效率的应用中,导通电阻显著降低,并具有极低的栅极电荷。

特性 Features

• 业界领先的低 RDS(on) x 面积
• 业界出色的品质因数(FoM)
• 极低的栅极电荷
• 经过100%雪崩测试
• 稳压保护

技术参数

  • 制造商编号

    :STW8N120K5

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :TO-247

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :1200

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :2

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :6

  • PTOT_max(W)

    :130

  • Qg_typ(nC)

    :13.7

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