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STW8N120K5中文资料N沟道1200 V、1.65 Ohm典型值、6 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-247封装数据手册ST规格书
STW8N120K5规格书详情
描述 Description
这款超高压N-沟道功率MOSFET 采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此,在要求高功率密度和高效率的应用中,导通电阻显著降低,并具有极低的栅极电荷。
特性 Features
• 业界领先的低 RDS(on) x 面积
• 业界出色的品质因数(FoM)
• 极低的栅极电荷
• 经过100%雪崩测试
• 稳压保护
技术参数
- 制造商编号
:STW8N120K5
- 生产厂家
:ST
- Package
:TO-247
- Grade
:Industrial
- VDSS(V)
:1200
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
:2
- Drain Current (Dc)_max(A)
:6
- PTOT_max(W)
:130
- Qg_typ(nC)
:13.7
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
2023+ |
TO-247 |
75000 |
专注全新正品,优势现货供应 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2021+ |
TO-247-3 |
7600 |
原装现货,欢迎询价 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-247-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-247 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源! |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
24+ |
TO-247 |
8216 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-247 |
9000 |
原装正品,支持实单! |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO-247 |
9990 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-247-3 |
1250 |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
询价 |