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STW7NB80	文件：351.69 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 6.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 1.9Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：351.69 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
STW7NB80	文件：88.35 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL 800V - 1.6ohm - 6.5A - TO-247 PowerMESH MOSFET DESCRIPTION Using the latest high voltage MESH OVERLAY™ process, STMicroelectronics has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performances. The new patent pending strip layout coupled with the Company’s proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per a 文件：88.35 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
W7NB80	文件：88.35 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL 800V - 1.6ohm - 6.5A - TO-247 PowerMESH MOSFET DESCRIPTION Using the latest high voltage MESH OVERLAY™ process, STMicroelectronics has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performances. The new patent pending strip layout coupled with the Company’s proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per a 文件：88.35 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
P7NB80FP	文件：106.58 Kbytes Page：9 Pages	N - CHANNEL 800V - 1.2ohm - 6.5A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET DESCRIPTION Using the latest high voltage MESH OVERLAY™ process, STMicroelectronics has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performances. The new patent pending strip layout coupled with the Company’s proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per a 文件：106.58 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STP7NB80	文件：372.26 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 6.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 1.5Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：372.26 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
STP7NB80	文件：106.58 Kbytes Page：9 Pages	N - CHANNEL 800V - 1.2ohm - 6.5A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET DESCRIPTION Using the latest high voltage MESH OVERLAY™ process, STMicroelectronics has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performances. The new patent pending strip layout coupled with the Company’s proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per a 文件：106.58 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STW7NB80
功能描述：
MOSFET RO 512-FQA7N80
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	STW7NB80	ST	24+	TO-3P	930		询价
深圳市星佑电子有限公司	STW7NB80	ST	05+	原厂原装	81	只做全新原装真实现货供应	询价
上海凌岳电子科技有限公司（上海涵恩科技）	STW7NB80	ST	2023+		3000	进口原装现货	询价
深圳市柯尔基电子有限公司	STW7NB80	ST	23+24	TO-247	29840	主营MOS管,二极.三极管,肖特基二极管.功率三极管	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	STW7NB80	ST	NEW	TO-3P	18689	代理全系列销售, 全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	STW7NC80Z	ST	24+	TO-3P	1000	原装现货热卖	询价
深圳市佳鑫美电子科技有限公司	STW7NC80Z	ST	25+	TO-247	2987	只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电!	询价
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深圳市赛尔通科技有限公司	STW7NC80Z	ST	23+	TO-3P	65480		询价

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