STW75NF30中文资料N-channel 300 V, 0.037 Ohm, 60 A low gate charge STripFET Power MOSFET in TO-247 package数据手册ST规格书

厂商型号 |
STW75NF30 |
参数属性 | STW75NF30 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH 300V 60A TO247 |
功能描述 | N-channel 300 V, 0.037 Ohm, 60 A low gate charge STripFET Power MOSFET in TO-247 package |
封装外壳 | TO-247-3 |
制造商 | ST STMicroelectronics |
中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-26 22:59:00 |
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STW75NF30规格书详情
描述 Description
This Power MOSFET series realized with STMicroelectronics unique STripFET™ process is specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. It is therefore ideal as a primary switch in advanced high-efficiency isolated DC-DC converters.
特性 Features
Exceptional dv/dt capability
100% avalanche tested
Low gate charge
简介
STW75NF30属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的STW75NF30晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
技术参数
更多- 产品编号:
STW75NF30AG
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 包装:
卷带(TR)
- FET 类型:
N 通道
- 技术:
MOSFET(金属氧化物)
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
60A
- 安装类型:
通孔
- 供应商器件封装:
TO-247-3
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 描述:
MOSFET N-CH 300V 60A TO247
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST/意法 |
24+ |
NA/ |
169 |
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ST/意法 |
24+ |
NA |
14280 |
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ST/意法 |
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TO247 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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ST/意法 |
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TO-247-3 |
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ST |
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TO-3P |
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STM |
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TO-247-3 |
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原厂封装 |
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ST/意法 |
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