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STW75N60DM6中文资料N沟道600 V、32 mOhm典型值、72 A MDmesh DM6功率MOSFET，TO-247封装数据手册ST规格书
| 厂商型号 |
STW75N60DM6 |
| 参数属性 | STW75N60DM6 封装/外壳为TO-247-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个；产品描述：MOSFET N-CH 600V 72A TO247 |
| 功能描述 | N沟道600 V、32 mOhm典型值、72 A MDmesh DM6功率MOSFET，TO-247封装 |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 19:35:00 |
| 人工找货 | STW75N60DM6价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
STW75N60DM6规格书详情
简介
STW75N60DM6属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的STW75N60DM6晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
技术参数
更多- 制造商编号
：STW75N60DM6
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-247
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.036
- Drain Current (Dc)_max(A)
：72
- PTOT_max(W)
：446
- Qg_typ(nC)
：117
- Features
：Fast recovery diode
- Reverse Recovery Time_typ(ns)
：140
- Qrr_typ(nC)
：700
- Peak Reverse Current_nom(A)
：10
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/ |
24+ |
TO-247 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
TO-247 |
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ST |
18+ |
TO-247 |
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SST |
原厂封装 |
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原装进口公司现货假一赔百 |
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ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
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ST/意法 |
22+ |
TO-247 |
9000 |
原装正品,支持实单! |
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ST(意法半导体) |
24+ |
TO-247 |
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ST |
24+ |
TO-247 |
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市场最低 原装现货 假一罚百 可开原型号 |
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ST |
25+ |
TO-247 |
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STMicroelectronics |
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TO-247-3 |
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