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STW68N60M6分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料

STW68N60M6
厂商型号

STW68N60M6

参数属性

STW68N60M6 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH 600V TO247-3

功能描述

N-channel 600 V, 35 mΩ typ., 63 A MDmesh™ M6 Power MOSFET in a TO-247 package
MOSFET N-CH 600V TO247-3

丝印标识

68N60M6

封装外壳

TO-247 / TO-247-3

文件大小

474.44 Kbytes

页面数量

13

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
STMICROELECTRONICS
数据手册

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更新时间

2025-8-3 20:00:00

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STW68N60M6规格书详情

STW68N60M6属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由意法半导体集团制造生产的STW68N60M6晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

特性 Features

• Reduced switching losses

• Lower RDS(on) per area vs previous generation

• Low gate input resistance

• 100 avalanche tested

• Zener-protected

Applications

• Switching applications

• LLC converters

• Boost PFC converters

描述 Description

The new MDmesh™ M6 technology incorporates the most recent advancements to

the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs.

STMicroelectronics builds on the previous generation of MDmesh devices through its

new M6 technology, which combines excellent RDS(on) per area improvement with

one of the most effective switching behaviors available, as well as a user-friendly

experience for maximum end-application efficiency.

产品属性

更多
  • 产品编号:

    STW68N60M6

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 系列:

    MDmesh™

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):

    63A(Tc)

  • 安装类型:

    通孔

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 描述:

    MOSFET N-CH 600V TO247-3

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