丝印：57N65M5；Package：TO-247；N-channel 650 V, 0.056 Ω typ., 42 A MDmesh™ V Power MOSFETs in TO-247 and TO-247 long leads packages

Features • Worldwide best RDS(on)*area amongst the silicon based devices • Higher VDSS rating, high dv/dt capability • Excellent switching performance • Easy to drive, 100 avalanche tested Applications • Switching applications Description These devices are N-channel MDmesh™ V Power M

文件：1.02166 Mbytes 页数：17 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

TO-247

ST

上传：深圳深宇韬电子科技有限公司

公司现货

ST

上传：海芯未来半导体电子（深圳）有限公司

公司现货

ST

上传：海芯未来半导体电子（深圳）有限公司

TO-247-3

ST

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