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STW56N65M2-4	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道650 V、0.049 Ohm典型值、49 A MDmesh M2功率MOSFET，TO247-4封装; • Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin \n• Extremely low gate charge \n• Excellent output capacitance (Coss) profile \n• 100% avalanche tested \n• Zener-protected; This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh™ M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters.\n\n	STSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	ST
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STW56N65M2-4

文件：300 bytes

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N沟道650 V、0.049 Ohm典型值、49 A MDmesh M2功率MOSFET，TO247-4封装; • Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin \n• Extremely low gate charge \n• Excellent output capacitance (Coss) profile \n• 100% avalanche tested \n• Zener-protected;

This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh™ M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters.\n\n

STSTMicroelectronics

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Extremely low gate charge

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技术参数

Package：
TO247-4
Grade：
Industrial
VDSS(V)：
650
RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：
0.062
Drain Current (Dc)_max(A)：
49
PTOT_max(W)：
358
Qg_typ(nC)：
93

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