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NCE3N170F	文件：629.76 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralDescription TheseriesofPowerMOSFETsuseadvanced technologyanddesign.ThishighvoltageMOSFETfits Switchedapplications. Features ●Highspeedswitching ●IntrinsiccapacitancesandQgminimized ●100%AvalancheTested Application ●Switchedapplications	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE3N170PF	文件：669.68 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralDescription TheseriesofPowerMOSFETsuseadvanced technologyanddesign.ThishighvoltageMOSFETfits Switchedapplications. Features ●Highspeedswitching ●IntrinsiccapacitancesandQgminimized ●100%AvalancheTested Application ●Switchedapplications	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE3N170T	文件：647.96 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralDescription TheseriesofPowerMOSFETsuseadvanced technologyanddesign.ThishighvoltageMOSFETfits Switchedapplications. Features ●Highspeedswitching ●IntrinsiccapacitancesandQgminimized ●100%AvalancheTested Application ●Switchedapplications	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
STFW3N170	文件：702.3 Kbytes Page：12 Pages	N-channel1700V,7廓typ.,2.6APowerMESH??PowerMOSFETinaTO-3PFpackage	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STWA3N170	文件：740.64 Kbytes Page：14 Pages	N-channel1700V,7Ωtyp.,2.6APowerMESH™PowerMOSFETsinTO-247andTO-247longleadspackages Features IntrinsiccapacitancesandQgminimized Highspeedswitching 100avalanchetested Applications Switchingapplications Description ThisPowerMOSFETisdesignedusingthe STMicroelectronicsconsolidatedstrip-layoutbased MESHOVERLAY™process.Theresultis aproduct	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STWA3N170	文件：740.64 Kbytes Page：14 Pages	N-channel1700V,7Ωtyp.,2.6APowerMESH™PowerMOSFETsinTO-247andTO-247longleadspackages Features IntrinsiccapacitancesandQgminimized Highspeedswitching 100avalanchetested Applications Switchingapplications Description ThisPowerMOSFETisdesignedusingthe STMicroelectronicsconsolidatedstrip-layoutbased MESHOVERLAY™process.Theresultis aproduct	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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