STU9N65M2数据手册ST中文资料规格书
STU9N65M2规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the MDmesh™ M2 technology. Thanks to the strip layout associated to an improved vertical structure, the devices exhibit both low on-resistance and optimized switching characteristics. They are therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• Extremely low gate charge
• Excellent output capacitance (Coss) profile
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STU9N65M2
- 生产厂家
：ST
- Package
：IPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：650
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.9
- Drain Current (Dc)_max(A)
：5
- PTOT_max(W)
：60
- Qg_typ(nC)
：10
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
8930 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
TO-251 |
54815 |
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ST/意法 |
17+ |
TO-251 |
1800 |
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ST/意法 |
22+ |
TO-251 |
3000 |
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ST |
2511 |
TO-251 |
16900 |
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ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
TO-251-3 |
8860 |
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询价 | ||
ST |
25+ |
TO-251 |
16900 |
原装，请咨询 |
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ST/意法 |
22+23+ |
TO-251 |
8000 |
新到现货，只做原装进口 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-251-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 |
