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STU13NB60中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

STU13NB60

功能描述

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET

文件大小

61.64 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

STMICROELECTRONICS

中文名称

意法半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-10 17:41:00

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STU13NB60规格书详情

DESCRIPTION

Using the latest high voltage MESH OVERLAY™ process, SGS-Thomson has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performances. The new patent pending strip layout coupled with the Company’s proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per area, exceptional avalanche and dv/dt capabilities and unrivalled gate charge and switching characteristics.

■ TYPICAL RDS(on) = 0.4 Ω

■ EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY

■ 100 AVALANCHE TESTED

■ VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES

■ GATE CHARGE MINIMIZED

■ ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING

APPLICATIONS

■ SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)

■ DC-AC CONVERTERS FOR WELDING EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE

产品属性

  • 型号:

    STU13NB60

  • 制造商:

    STMICROELECTRONICS

  • 制造商全称:

    STMicroelectronics

  • 功能描述:

    N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET

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