首页>STU10NM65N>规格书详情
STU10NM65N中文资料意法半导体数据手册PDF规格书
STU10NM65N规格书详情
Description
This series of devices implements the second generation of MDmesh™ Technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the Company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
Features
■ 100 avalanche tested
■ Low input capacitance and gate charge
■ Low gate input resistance
Application
■ Switching applications
产品属性
- 型号：
STU10NM65N
- 功能描述：
MOSFET N-Channel 650V Power MDmesh
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
22+ |
N |
30000 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
询价 | ||
ST |
22+ |
TO2513 Short Leads IPak TO251A |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ST |
22+ |
TO-251 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
3324 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-251 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ST |
22+ |
TO-251 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
询价 | ||
ST |
15+ |
TO251 |
29950 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST |
25+ |
TO-251 |
16900 |
原装，请咨询 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO-251 |
200000 |
原装进口正口,支持样品 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-251 |
74 |
原装 |
询价 |
