STU10NM65N中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

厂商型号	STU10NM65N
功能描述	N-channel 650 V - 0.43 廓 - 9 A - TO-220 - TO-220FP- IPAK - DPAK second generation MDmesh??Power MOSFET
文件大小	504.03 Kbytes
页面数量	17 页
生产厂商	STMICROELECTRONICS
中文名称	意法半导体
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更新时间	2025-12-10 20:00:00
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STU10NM65N规格书详情

描述 Description

This series of devices implements the second generation of MDmesh™ Technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the Company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.

特性 Features

■ 100 avalanche tested

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistance

Application

■ Switching applications

产品属性

型号：
STU10NM65N
功能描述：
MOSFET N-Channel 650V Power MDmesh
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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