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STS7P4LLF6规格书详情
描述 Description
This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
特性 Features
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
技术参数
- 制造商编号
：STS7P4LLF6
- 生产厂家
：ST
- Package
：SO-8
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：-40
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
：0.029
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0205
- Drain Current (Dc)_max(A)
：-7
- PTOT_max(W)
：2.7
- Qg_typ(nC)
：22
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
3350 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
SO-8 |
20300 |
ST/意法原装特价STS7P4LLF6即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ST |
19+ |
SO-8 |
2500 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
23+ |
SOP-8 |
50000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
ST |
24+ |
SOP8 |
7850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
SOIC-8 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
SOIC-8 |
16900 |
原装，正品 |
询价 | ||
ST/意法 |
19+ |
SO-8 |
7500 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 |
