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STS4PF20V | P-CHANNEL 20V - 0.090 ohm - 4A SO- 2.7V-DRIVE STripFET??II POWER MOSFET DESCRIPTION ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronisuniqueSingleFeatureSize™strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemarka | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | STMICROELECTRONICS | |
STS4PF20V | P-CHANNEL 20V - 0.090 ohm - 4A SO- 2.7V-DRIVE STripFET™ II POWER MOSFET; | STSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | ST | |
P-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET APPLICATIONS •LoadSwitch | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
P-CHANNEL20V-0.090W-3ASOT23-6L2.7V-DRIVESTripFETIIPOWERMOSFET DESCRIPTION ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronisuniqueSingleFeatureSize™strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemarka | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | STMICROELECTRONICS |
详细参数
- 型号：
STS4PF20V
- 功能描述：
MOSFET P-Ch 20 Volt 4 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
2015+ |
SOP/DIP |
19889 |
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ST |
23+ |
TSSOP |
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ST |
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ST |
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SO-8 |
7500 |
十年品牌!原装现货!!! |
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ST |
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SOP-8 |
18689 |
询价 | |||
ST |
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SOP-8 |
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诚信交易大量库存现货 |
询价 | ||
ST |
23+ |
SOP-8 |
7566 |
原厂原装 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
SOP-8 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
SOP-8 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
ST |
SOP-8 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 |
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