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STS4DPF30L	文件：108.93 Kbytes Page：6 Pages	DUAL P-CHANNEL 30V - 0.07 ohm - 4A SO-8 STripFET??POWER MOSFET DESCRIPTION ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronisuniqueSingleFeatureSize™strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowonresistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemarkab	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STS4DPF30L	文件：1.05535 Mbytes Page：9 Pages	Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET •100UISTested APPLICATIONS •LoadSwitches	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STS4DPF30L	文件：1.33598 Mbytes Page：5 Pages	Dual P-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER

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STS4DPF30L

文件：108.93 Kbytes

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DUAL P-CHANNEL 30V - 0.07 ohm - 4A SO-8 STripFET??POWER MOSFET

DESCRIPTION ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronisuniqueSingleFeatureSize™strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowonresistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemarkab

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS

STS4DPF30L

文件：1.05535 Mbytes

Page：9 Pages

Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET •100UISTested APPLICATIONS •LoadSwitches

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI

STS4DPF30L

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Page：5 Pages

Dual P-Channel MOSFET uses advanced trench technology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

DOINGTER

详细参数

型号：
STS4DPF30L
功能描述：
MOSFET P-Ch 30 Volt 4 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多STS4DPF30L供应商更新时间2025-5-4 14:10:00

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