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STS3622	文件：799.26 Kbytes Page：8 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SOT-26package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STS3622	文件：521.62 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TF3622	文件：1.6872 Mbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheTF3622usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas2.5V.Thisdeviceissuitableforuseasa Batteryprotectionorinotherswitchingapplication. GeneralFeature ●VDS=30V,ID=25A RDS(ON)=	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司	TUOFENG
TF3622DS	文件：3.37271 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralDescription TheTF3622DSisthehighestperformance trenchN-chMOSFETwithextremehighcell density,whichprovideexcellentRDSONand gatechargensformostofthesynchronous buckconverterapplications. TheTF3622DSmeettheRoHSandGreen Productrequirement,100EASguarante	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司	TUOFENG
VS3622AD	文件：1.1436 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
VS3622AE	文件：1.37936 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
WWSSD3622	文件：170.88 Kbytes Page：3 Pages	WorkWiseHeight-AdjustableSit-StandDesktopWorkstation,36x22in.MonitorPlatform	TRIPPLITE Tripp Lite. All Rights Reserved	TRIPPLITE
XLMG3622REQT	文件：1.2679 Mbytes Page：29 Pages	LMG3622650-V120-mΩGaNFETWithIntegratedDriverandCurrent-SenseEmulation 1Features •650-V120-mΩGaNpowerFET •Integratedgatedriverwithlowpropagationdelays andadjustableturn-onslew-ratecontrol •Current-senseemulationwithhighbandwidthand highaccuracy •Cycle-by-cycleovercurrentprotection •OvertemperatureprotectionwithFLTpinreporting	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
XLMG3622REQT	文件：1.33869 Mbytes Page：30 Pages	LMG3622650-V120-mΩGaNFETWithIntegratedDriverandCurrent-SenseEmulation 1Features •650-V120-mΩGaNpowerFET •Integratedgatedriverwithlowpropagationdelays andadjustableturn-onslew-ratecontrol •Current-senseemulationwithhighbandwidthand highaccuracy •Cycle-by-cycleovercurrentprotection •OvertemperatureprotectionwithFLTpinreporting	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
YJQ3622A	文件：368.9 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE

详细参数

型号：
STS3622
制造商：
SAMHOP
制造商全称：
SAMHOP
功能描述：
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	STS3622	三和微	24+	SOT-23	3000		询价
深圳市宇创芯科技有限公司	STS3622	SAMHOP/三合微科	24+	SOT-26	9600	原装现货,优势供应,支持实单!	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	STS3622	SAMHOP/三合微科	23+	SOT-26	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	STS3622	SAMHOP/三合微科	23+	SOT23-6	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	STS3622	SAMHOP/三合微科	24+	NA/	6590	原厂直销,现货供应,账期支持!	询价
深圳市润联芯城科技有限公司	STS3622	SAMHOP/三合微科	23+	SOT-26	50000	原装正品支持实单	询价
深圳市博中泰实业有限公司	STS3622低压MOS管	SAMHOP/三合微科	24+	SOT-26	60000		询价
深圳市海天鸿电子科技有限公司	STS3623	Samhop	1716+	SOT26	9100	只做原装进口,假一罚十	询价
深圳兆威电子有限公司	STS3623	SAMHOP	23+	SOT26	63000	原装正品现货	询价
深圳市纳艾斯科技有限公司	STS3623	S	24+	TSMT6	80000	只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增	询价

更多STS3622供应商更新时间2025-5-29 15:30:00

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