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STS1NK60Z中文资料N沟道600 V、13 Ohm典型值、0.25 A有齐纳管保护的SuperMESH(TM) 功率MOSFET,SO-8封装数据手册ST规格书

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厂商型号

STS1NK60Z

功能描述

N沟道600 V、13 Ohm典型值、0.25 A有齐纳管保护的SuperMESH(TM) 功率MOSFET,SO-8封装

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-26 9:16:00

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STS1NK60Z规格书详情

描述 Description

The SuperMESHTM series is obtained through an extreme optimization of STs well established stripbased PowerMESHTM layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Such series complements ST full range of high voltage MOSFETs including revolutionary MDmeshTM products.

特性 Features

• GATE CHARGE MINIMIZED
• TYPICAL RDS(on) = 13Ω
• ESD IMPROVED CAPABILITY
• EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
• NEW HIGH VOLTAGE BENCHMARK
• 100% AVALANCHE TESTED

技术参数

  • 制造商编号

    :STS1NK60Z

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :SO-8

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :600

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :15

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :0.25

  • PTOT_max(W)

    :2

  • Qg_typ(nC)

    :4.9

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