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STS10P4LLF6中文资料P沟道40 V、0.0125 Ohm典型值、10 A STripFET F6功率MOSFET,SO-8封装数据手册ST规格书
STS10P4LLF6规格书详情
描述 Description
This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
特性 Features
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
技术参数
- 制造商编号
:STS10P4LLF6
- 生产厂家
:ST
- Package
:SO-8
- Grade
:Industrial
- VDSS(V)
:-40
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
:0.015
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
:0.02
- Drain Current (Dc)_max(A)
:-10
- PTOT_max(W)
:2.7
- Qg_typ(nC)
:34
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
100 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ST |
20+ |
SOP-8 |
63258 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
VBsemi |
21+ |
SOP8 |
10065 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST |
18+ |
SOP-8 |
26069 |
全新原装现货,可出样品,可开增值税发票 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
SOIC-8 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
SOP-8 |
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询价 | ||
ST/意法 |
2450+ |
SOP-8 |
9850 |
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询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
SOIC-8 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 |