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STS10P4LLF6中文资料P沟道40 V、0.0125 Ohm典型值、10 A STripFET F6功率MOSFET,SO-8封装数据手册ST规格书

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厂商型号

STS10P4LLF6

功能描述

P沟道40 V、0.0125 Ohm典型值、10 A STripFET F6功率MOSFET,SO-8封装

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-26 20:00:00

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STS10P4LLF6规格书详情

描述 Description

This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

特性 Features

• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss

技术参数

  • 制造商编号

    :STS10P4LLF6

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :SO-8

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :-40

  • RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)

    :0.015

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.02

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :-10

  • PTOT_max(W)

    :2.7

  • Qg_typ(nC)

    :34

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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