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STS10P3LLH6中文资料P沟道-30 V、0.01 Ohm典型值、-12.5 A STripFET H6功率MOSFET，SO-8封装数据手册ST规格书
STS10P3LLH6规格书详情
描述 Description
This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
特性 Features
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
技术参数
- 制造商编号
：STS10P3LLH6
- 生产厂家
：ST
- Package
：SO-8
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：-30
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
：0.017
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.012
- Drain Current (Dc)_max(A)
：-12.5
- PTOT_max(W)
：2.7
- Qg_typ(nC)
：33
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
900 |
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询价 | ||
ST/ |
24+ |
SOP8 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
SST |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
SO-8 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
ST/意法 |
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SOP8 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
SO-8 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2023+ |
SO-8 |
6000 |
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
SO-8 |
16900 |
原装，正品 |
询价 |
