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STS10P3LLH6规格书详情
描述 Description
This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
特性 Features
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
技术参数
- 制造商编号
：STS10P3LLH6
- 生产厂家
：ST
- Package
：SO-8
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：-30
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
：0.017
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.012
- Drain Current (Dc)_max(A)
：-12.5
- PTOT_max(W)
：2.7
- Qg_typ(nC)
：33
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
SOP-8 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
SO-8 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
22+ |
SO-8 |
10000 |
只有原装,绝对原装,假一罚十 |
询价 | ||
ST/ |
22+23+ |
SOP8 |
8000 |
新到现货，只做原装进口 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
82000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
ST |
24+ |
NA |
65300 |
一级代理/放心采购 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2020+ |
SO-8 |
7600 |
只做原装正品,卖元器件不赚钱交个朋友 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
SO-8 |
10000 |
原装公司现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
SO-8 |
20000 |
原装进口正品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
SO-8 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 |
