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STS10P3LLH6	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道-30 V、0.01 Ohm典型值、-12.5 A STripFET H6功率MOSFET，SO-8封装 This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages. • Very low on-resistance \n• Very low gate charge \n• High avalanche ruggedness \n• Low gate drive power loss;	ST 意法半导体	ST
STS10P3LLH6	文件：380.68 Kbytes Page：12 Pages	High avalanche ruggedness 文件：380.68 Kbytes 页数：12 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STS1NC60	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP8	ST 上传：深圳市众芯源半导体有限公司	ST
STS2DNF30L	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOIC-8	ST 上传：深圳市昊创电子有限公司	ST
STS7C4F30L	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP8	ST 上传：深圳市众芯源半导体有限公司	ST

技术参数

Package：
SO-8
Grade：
Industrial
VDSS(V)：
-30
RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)：
0.017
RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：
0.012
Drain Current (Dc)_max(A)：
-12.5
PTOT_max(W)：
2.7
Qg_typ(nC)：
33

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更多STS10P3LLH6供应商更新时间2025-11-22 16:36:00

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