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STS10P3LLH6	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道-30 V、0.01 Ohm典型值、-12.5 A STripFET H6功率MOSFET，SO-8封装; • Very low on-resistance \n• Very low gate charge \n• High avalanche ruggedness \n• Low gate drive power loss; This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.\n\n	STSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	ST
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STS10P3LLH6

文件：300 bytes

Page：1 Pages

P沟道-30 V、0.01 Ohm典型值、-12.5 A STripFET H6功率MOSFET，SO-8封装; • Very low on-resistance \n• Very low gate charge \n• High avalanche ruggedness \n• Low gate drive power loss;

This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.\n\n

STSTMicroelectronics

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STS10P3LLH6

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High avalanche ruggedness

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STMICROELECTRONICS

技术参数

Package：
SO-8
Grade：
Industrial
VDSS(V)：
-30
RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)：
0.017
RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：
0.012
Drain Current (Dc)_max(A)：
-12.5
PTOT_max(W)：
2.7
Qg_typ(nC)：
33

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更多STS10P3LLH6供应商更新时间2025-7-25 16:13:00

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