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STS10DN3LH5中文资料双路N沟道30 V、0.019 Ohm、10 A SO-8 STripFET (TM) V功率MOSFET数据手册ST规格书
STS10DN3LH5规格书详情
描述 Description
This STripFETV Power MOSFET technology is among the latest improvements, which have been especially tailored to achieve very low on-state resistance providing also one of the best-in-class FOM.
特性 Features
• RDS(on) * Qg industry benchmark
• Very low switching gate charge
• Extremely low on-resistance RDS(on)
• Low gate drive power losses
• High avalanche ruggedness
技术参数
- 制造商编号
：STS10DN3LH5
- 生产厂家
：ST
- Package
：SO-8
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：30
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
：0.028
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.021
- Drain Current (Dc)_max(A)
：10
- PTOT_max(W)
：2.5
- Qg_typ(nC)
：4.6
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